|
IGBT
RJH60D TO247
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO247
قیمت تک فروشی 939,154 ریال
قیمت عمده 831,134 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 816,012 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده808,450 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 1.384 تتر با تخفیف
7.766.796.656.59
|
|
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
|
|
| حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| مجموع شارژ کامل Qg |
37 نانو کولن |
|
توضیحات
ترانزيستور IGBT بهترين بخش‌هاي دو ترانزيستور متداول BJT و MOSFET را در ساختار خود دارد. در واقع، امپدانس ورودي بزرگ و سرعت سوئيچينگ بالاي MOSFET و ولتاژ اشباع پايين BJT با هم ترکيب شده است و نوع ديگري ترانزيستور به نام IGBT ساخته شده که قابليت عملکرد در مقادير بالاي جريان کلکتور-اميتر را با ولتاژ گيت تقريباً صفر دارد.
آي جي بي تي، همان‌گونه که از نامش پيداست، مجهز به فناوري گيت ايزوله شده MOSFET و نيز مشخصه يک ترانزيستور دو قطبي متداول است. نتيجه چنين ترکيبي، سوئيچينگ خروجي و مشخصه هدايت يک ترانزيستور دو قطبي را دارد، اما مانند يک ماسفت، ولتاژ آن کنترل شده است.
IGBTها به طور گسترده در کاربردهاي الکترونيک قدرت مانند اينورترها، مبدل‌ها و منابع تغذيه که به قطعات سوئيچينگ حالت جامد نياز داشته و ماسفت‌ها و BJTها در آن‌جا کارايي لازم را ندارند، مورد استفاده قرار مي‌گيرند. ترانزيستورهاي دو قطبي ولتاژ بالا و جريان بالا در دسترس هستند، اما سرعت سوئيچينگ آن‌ها پايين است.
Description
--Features:
** Short circuit withstand time (5uS typ.)
** Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
** Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package
** Trench gate and thin wafer technology
· High speed switching
tf = 80 ns typ. (at VCC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 12 A, Rg = 5 W, Ta = 25°C, inductive load)
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد