توضیحات
«ترانزيستور اثر ميدان نيمه‌رساناي اکسيد فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) يا ماسفت، يک گزينه عالي براي تقويت‌کننده‌هاي خطي سيگنال کوچک است، زيرا امپدانس ورودي آن بسيار زياد است که باياس آن را ساده مي‌کند. براي اينکه يک ماسفت، خاصيت تقويت کنندگي خطي داشته باشد، برخلاف ترانزيستور دوقطبي، بايد در ناحيه اشباع کار کند. اما، مانند ترانزيستور دوقطبي بايد حول يک نقطه کار ثابت مرکزي باياس شود. ماسفت‌ها در ناحيه هدايت خود جريان را عبور مي‌دهند که «کانال» (Channel) ناميده مي‌شود. با اعمال ولتاژ مناسب به گيت، مي‌توان اين کانال هدايت را بزرگ‌تر يا کوچک‌تر کرد. اعمال اين ولتاژ گيت به ترانزيستور، بر مشخصه الکتريکي کانال اثر خواهد گذاشت و يک ميدان الکتريکي حول پايه گيت القا مي‌کند. به همين دليل است که اين ترانزيستر، اثر ميدان ناميده مي‌شود.
Description
The SI5402DC is a 30V 6.7A N-channel Mosfet.
The MOSFET is the most common semiconductor device in digital and analog circuits, and the most common power device. It was the first truly compact transistor that could be miniaturised and mass-produced for a wide range of uses, revolutionizing the electronics industry and the world economy, having been central to the computer revolution, digital revolution, information revolution, silicon age and information age. MOSFET scaling and miniaturization has been driving the rapid exponential growth of electronic semiconductor technology since the 1960s, and enable a wide range of applications, including high-density integrated circuits (ICs) such as memory chips and microprocessors. The MOSFET is considered to be possibly the most important invention in electronics, as the "workhorse" of the electronics industry and the "base technology" of the late 20th to early 21st centuries, having revolutionized modern culture, economy, society and daily life.
|