ماسفت کانال N
AUIRF1324S-7P
24V 240A N-Channel MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: D2PAK-7
قیمت تک فروشی 2,416,810 ریال
قیمت عمده 2,292,451 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 2,247,682 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده2,225,298 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 3.321 تتر با تخفیف
18.2417.2816.9316.76
|
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
7700 پيکو فاراد |
|
|
حداکثر توان مصرفي |
300 وات |
|
|
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
3380 پيکو فاراد |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
252 نانو کولن |
|
توضیحات
«ترانزيستور اثر ميدان نيمهرساناي اکسيد فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) يا ماسفت، يک گزينه عالي براي تقويتکنندههاي خطي سيگنال کوچک است، زيرا امپدانس ورودي آن بسيار زياد است که باياس آن را ساده ميکند. براي اينکه يک ماسفت، خاصيت تقويتکنندگي خطي داشته باشد، برخلاف ترانزيستور دوقطبي، بايد در ناحيه اشباع کار کند. اما، مانند ترانزيستور دوقطبي بايد حول يک نقطه کار ثابت مرکزي باياس شود. ماسفتها در ناحيه هدايت خود جريان را عبور ميدهند که «کانال» (Channel) ناميده ميشود. با اعمال ولتاژ مناسب به گيت، ميتوان اين کانال هدايت را بزرگتر يا کوچکتر کرد. اعمال اين ولتاژ گيت به ترانزيستور، بر مشخصه الکتريکي کانال اثر خواهد گذاشت و يک ميدان الکتريکي حول پايه گيت القا ميکند. به همين دليل است که اين ترانزيستر، اثر ميدان ناميده ميشود.
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET®
Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of
this design are a 175°C junction operating temperature, fast
switching speed and improved repetitive avalanche rating. These
features combine to make this design an extremely efficient and
reliable device for use in Automotive applications and wide variety
of other applications.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد