ماسفت کانال N
IRFI4019H-117P
150V 8.7A Digital Audio MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220-5
قیمت تک فروشی 1,208,201 ریال
قیمت عمده 1,079,957 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,059,438 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,049,178 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 1.668 تتر با تخفیف
8.917.927.767.68
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
6.6 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
3.1 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
810 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
100 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
15 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.08 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
20 نانو کولن |
|
شرکت توليد کننده |
INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
توضیحات
اين Audio Digital MosFET Half-Bridge به طور خاص براي برنامه هاي تقويت کننده صوتي کلاس D طراحي شده است. اين شامل دو سوئيچ قدرت MosFET است که در پيکربندي نيم پل متصل شده اند. آخرين فرآيند براي دستيابي به مقاومت کم در هر ناحيه سيليکوني استفاده مي شود. علاوه بر اين، شارژ گيت، بازيابي معکوس ديود بدنه، و مقاومت گيت داخلي براي بهبود عوامل کليدي عملکرد تقويتکننده صوتي کلاس D مانند کارايي، THD و EMI بهينه شدهاند. اين ها با هم ترکيب مي شوند تا اين Half-Bridge را به دستگاهي بسيار کارآمد، قوي و قابل اعتماد براي کاربردهاي تقويت کننده صوتي کلاس D تبديل کنند.
Description
This Digital Audio MosFET Half-Bridge is specifically designed for Class D audio amplifier applications. It
consists of two power MosFET switches connected in half-bridge configuration. The latest process is used
to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, Gate charge, body-diode reverse recovery, and
internal Gate resistance are optimized to improve key Class D audio amplifier performance factors such
as efficiency, THD and EMI. These combine to make this Half-Bridge a highly efficient, robust and reliable
device for Class D audio amplifier applications.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد