ماسفت کانال N
IRF644B DIP
250V 14A
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: DIP
قیمت تک فروشی 746,400 ریال
قیمت عمده 660,600 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 648,588 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده642,582 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.876 تتر با تخفیف
3.843.363.293.26
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
1600 پيکو فاراد |
|
|
حداکثر توان مصرفي |
139 وات |
|
|
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
195 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.28 اهم |
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميدان نيمهرساناي اکسيد فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) يا ماسفت، يک گزينه عالي براي تقويتکنندههاي خطي سيگنال کوچک است، زيرا امپدانس ورودي آن بسيار زياد است که باياس آن را ساده ميکند. براي اينکه يک ماسفت، خاصيت تقويتکنندگي خطي داشته باشد، برخلاف ترانزيستور دوقطبي، بايد در ناحيه اشباع کار کند. اما، مانند ترانزيستور دوقطبي بايد حول يک نقطه کار ثابت مرکزي باياس شود. ماسفتها در ناحيه هدايت خود جريان را عبور ميدهند که «کانال» (Channel) ناميده ميشود. با اعمال ولتاژ مناسب به گيت، ميتوان اين کانال هدايت را بزرگتر يا کوچکتر کرد. اعمال اين ولتاژ گيت به ترانزيستور، بر مشخصه الکتريکي کانال اثر خواهد گذاشت و يک ميدان الکتريکي حول پايه گيت القا ميکند. به همين دليل است که اين ترانزيستر، اثر ميدان ناميده ميشود.
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,
planar, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switching DC/DC converter and
switch mode power supplies.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد