|
JFET کانال N
BF245B
30V 15mA N-channel silicon field-effect transistors
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-92
قیمت تک فروشی 263,945 ریال
قیمت عمده 201,709 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 197,975 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده196,108 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.375 تتر با تخفیف
1.981.481.461.44
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-65 سانتيگراد |
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميدان ميدان اتصال (JFET) يکي از ساده ترين انواع ترانزيستور اثر ميدان است. JFET ها قطعات نيمه هادي سه ترمينال هستند که مي توانند به عنوان کليدهاي الکترونيکي ، تقويت کننده ها يا مقاومت هاي کنترل شده ولتاژ مورد استفاده قرار گيرند. بر خلاف ترانزيستورهاي BJT ، JFET منحصراً از نظر ولتاژ کنترل مي شوند و نيازي به جريان باياس ندارند. بار الکتريکي از طريق يک کانال نيمه هادي بين پايانه هاي سورس و درين جريان مي يابد. JFET داراي امپدانس ورودي بزرگ است (که گاهي اوقات به اندازه 10000M اهم است) ، به اين معني که تأثير ناچيزي روي اجزاي خارجي يا مدارهاي متصل به گيت آن دارد.
Description
The junction gate field-effect transistor (JFET) is one of the simplest types of field-effect transistor. JFETs are three-terminal semiconductor devices that can be used as electronically-controlled switches, amplifiers, or voltage-controlled resistors. Unlike bipolar junction transistors, JFETs are exclusively voltage-controlled in that they do not need a biasing current. Electric charge flows through a semiconducting channel between source and drain terminals. JFETs can have an n-type or p-type channel. In the n-type, if the voltage applied to the gate is negative with respect to the source, the current will be reduced (similarly in the p-type, if the voltage applied to the gate is positive with respect to the source). A JFET has a large input impedance (sometimes on the order of 10000M ohms), which means that it has a negligible effect on external components or circuits connected to its gate.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد