توضیحات
قطعات M5M5V108DFP, VP, KV حافظه‌هاي SRAM استاتيک CMOS با ظرفيت 1,048,576 بيت هستند که به صورت 131,072 کلمه 8 بيتي سازماندهي شده‌اند و با استفاده از فناوري CMOS سه‌لايه پلي‌سيليکون و دو فلزي با کارايي بالا ساخته شده‌اند. استفاده از سلول‌هاي بار ترانزيستور فيلم نازک (TFT) و مدارهاي پيراموني CMOS باعث ايجاد حافظه‌اي با چگالي بالا و مصرف توان پايين شده است. اين حافظه‌ها جريان آماده‌به‌کار و جريان عملياتي کمي دارند و براي کاربردهاي پشتيبان‌گيري با باتري بسيار مناسب هستند.
Description
The M5M5V108DFP, VP, KV are 1,048,576-bit CMOS static RAMs organized as 131,072 words by 8 bits, fabricated using high-performance triple-polysilicon and double-metal CMOS technology. The incorporation of thin film transistor (TFT) load cells and CMOS periphery enables a high-density, low-power static RAM with low standby and operating currents, making them ideal for battery backup applications.
|