توضیحات
حافظه فلش NAND W29N08GV (8G-bit) يک راه حل ذخيره سازي براي سيستم هاي تعبيه شده با فضا، پين و قدرت محدود ارائه مي دهد. اين براي سايه زدن کد به رم، برنامه هاي کاربردي حالت جامد و ذخيره داده هاي رسانه اي مانند صدا، ويدئو، متن و عکس ايده آل است.
دستگاه بر روي يک منبع تغذيه 2.7 ولت تا 3.6 ولت با مصرف جريان فعال حداقل 25 ميلي آمپر در 3 ولت و 20 uA براي جريان آماده به کار CMOS کار مي کند. آرايه حافظه در مجموع 1,107,296,256 بايت است و در 8,192 بلوک قابل پاک کردن 135,168 بايت سازماندهي شده است. هر بلوک شامل 64 صفحه قابل برنامه ريزي با حجم 2112 بايت است.
هر صفحه شامل 2048 بايت براي فضاي ذخيره سازي داده اصلي و 64 بايت براي منطقه ذخيره داده است (منطقه يدکي معمولاً براي عملکردهاي مديريت خطا استفاده مي شود).
W29N08GV از رابط استاندارد حافظه فلش NAND با استفاده از گذرگاه 8 بيتي مالتي پلکس براي انتقال داده ها، آدرس ها و دستورالعمل هاي فرمان پشتيباني مي کند.
Description
The W29N08GV (8G-bit) NAND Flash memory provides a storage solution for embedded systems with limited space, pins and power. It is ideal for code shadowing to RAM, solid state applications and storing media data such as, voice, video, text and photos.
The device operates on a single 2.7V to 3.6V power supply with active current consumption as low as 25mA at 3V and 20uA for CMOS standby current. The memory array totals 1,107,296,256 bytes, and organized into 8,192 erasable blocks of 135,168 bytes. Each block consists of 64 programmable pages of 2,112-bytes each.
Each page consists of 2,048-bytes for the main data storage area and 64-bytes for the spare data area (The spare area is typically used for error management functions).
The W29N08GV supports the standard NAND flash memory interface using the multiplexed 8-bit bus to transfer data, addresses, and command instructions.
|