|
ترانزیستور GaN
YHJ-65P150TK
Normally-off GaN High electron mobility transistor (HEMT) device using the cascode configuration
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220
قیمت تک فروشی 1,838,223 ریال
قیمت عمده 1,753,355 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,719,408 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,702,434 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 1.701 تتر با تخفیف
9.368.918.738.64
|
توضیحات
YHJ-65P150TK يک نوع ترانزيستور نيتروژن گاليوم (GaN HEMT) است. اين قطعه الکترونيکي از فناوري پيشرفته نيتروژن گاليوم استفاده مي‌کند که به آن امکان مي‌دهد کارايي بسيار بالاتري نسبت به ترانزيستورهاي سيليکوني سنتي داشته باشد.
چرا GaN مهم است؟
کارايي بالاتر: ترانزيستورهاي GaN به دليل مقاومت کمتر، تلفات توان کمتري دارند و در نتيجه بازدهي سيستم را افزايش مي‌دهند.
سرعت بيشتر: GaN به دليل سرعت سوئيچينگ بالاتر، براي کاربردهايي که به سرعت نياز دارند بسيار مناسب است.
اندازه کوچکتر: ترانزيستورهاي GaN معمولاً کوچکتر و سبک‌تر از معادل‌هاي سيليکوني خود هستند.
دماي کاري بالاتر: GaN مي‌تواند در دماهاي بالاتري کار کند و در نتيجه قابليت اطمينان سيستم را افزايش مي‌دهد.
ويژگي‌هاي کليدي YHJ-65P150TK
ولتاژ شکست: 650 ولت
جريان مداوم: 12 آمپر
مقاومت در حالت روشن: 150 ميلي اهم
بسته‌بندي: TO-220
کاربردهاي معمول:
شارژرهاي سريع
آداپتورهاي AC/DC
اينورترها
موتورهاي DC بدون جاروبک
کاربردهاي نظامي و فضايي
مزاياي استفاده از YHJ-65P150TK
ابعاد کوچک و وزن سبک: براي دستگاه‌هاي قابل حمل بسيار مناسب است.
تلفات توان کم: باعث کاهش گرماي توليد شده و افزايش عمر مفيد دستگاه مي‌شود.
راندمان بالا: هزينه‌هاي عملياتي را کاهش مي‌دهد.
سرعت سوئيچينگ بالا: براي کاربردهاي با فرکانس بالا مناسب است.
Description
YHJ-65P150TK is a type of gallium nitrogen transistor (GaN HEMT). This electronic component uses advanced gallium nitrogen technology, which allows it to have much higher efficiency than traditional silicon transistors.
Why is GaN important?
Higher efficiency: GaN transistors have lower power losses due to their lower resistance, thus increasing system efficiency.
Higher speed: GaN is well suited for applications that require speed due to its higher switching speed.
Smaller size: GaN transistors are typically smaller and lighter than their silicon equivalents.
Higher operating temperature: GaN can operate at higher temperatures, thus increasing system reliability.
Key Features of YHJ-65P150TK
Breakdown Voltage: 650V
Continuous Current: 12A
On-State Resistance: 150mOhm
Packaging: TO-220
Typical Applications:
Fast Chargers
AC/DC Adapters
Inverters
Brushless DC Motors
Military and Aerospace Applications
Benefits of Using YHJ-65P150TK
Small Dimensions and Light Weight: Very Suitable for Portable Devices.
Low Power Loss: Reduces Heat Generation and Extends Device Life.
High Efficiency: Reduces Operating Costs.
High Switching Speed: Suitable for High Frequency Applications.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد