|
IGBT
RJP30H2A
360V 35A N-Channel IGBT
کیفیت: Refurbished پکیج: TO-3PSG
قیمت تک فروشی 654,574 ریال
قیمت عمده 598,613 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 587,421 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده581,824 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 1.026 تتر با تخفیف
5.284.84.74.66
|
توضیحات
RJP30H2A يک IGBT کانال منفي سرعت بالا360 ولت 35 آمپر ميباشد.
«ترانزيستور دو قطبي با گِيت عايق شده» (Insulated Gate Bipolar Transistor) يا به اختصار IGBT ، قطعه‌اي نيمه‌رسانا است که عملکردي بين ترانزيستور پيوندي دو قطبي (BJT) و ترانزيستور اثر ميدان (MOSFET) دارد. ترانزيستور IGBT بهترين بخش‌هاي دو ترانزيستور متداول BJT و MOSFET را در ساختار خود دارد. در واقع، امپدانس ورودي بزرگ و سرعت سوئيچينگ بالاي MOSFET و ولتاژ اشباع پايين BJT با هم ترکيب شده است و نوع ديگري ترانزيستور به نام IGBT ساخته شده که قابليت عملکرد در مقادير بالاي جريان کلکتور-اميتر را با ولتاژ گيت تقريباً صفر دارد. آي جي بي تي، همان‌گونه که از نامش پيداست، مجهز به فناوري گيت ايزوله شده MOSFET و نيز مشخصه يک ترانزيستور دو قطبي متداول است. نتيجه چنين ترکيبي، سوئيچينگ خروجي و مشخصه هدايت يک ترانزيستور دو قطبي را دارد، اما مانند يک ماسفت، ولتاژ آن کنترل شده است. IGBTها به طور گسترده در کاربردهاي الکترونيک قدرت مانند اينورترها، مبدل‌ها و منابع تغذيه که به قطعات سوئيچينگ حالت جامد نياز داشته و ماسفت‌ها و BJTها در آن‌جا کارايي لازم را ندارند، مورد استفاده قرار مي‌گيرند. ترانزيستورهاي دو قطبي ولتاژ بالا و جريان بالا در دسترس هستند، اما سرعت سوئيچينگ آن‌ها پايين است. از سوي ديگر، اگرچه سرعت سوئيچينگ ماسفت‌هاي قدرت بيشتر است، اما قطعات ولتاژ بالا و جريان بالاي آن گران هستند.
Description
RJP30H2DPK-M0
Silicon N Channel IGBT
High speed power switching
-Features:
- Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
- Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ
- High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ
- Low leak current: ICES = 1 A max
RENESAS Package code: PRSS0004ZH-A
(Package name: TO-3PSG)
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد