ماسفت کانال N
APT14F100B
1000V 14A N-Channel FREDFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-247
قیمت تک فروشی 8,116,600 ریال
قیمت عمده 7,735,752 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 7,583,413 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده7,507,243 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 11.175 تتر با تخفیف
61.7458.857.6257.04
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
29 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
26 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
3965 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
335 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
55 پيکو فاراد |
|
|
توضیحات
Power MOS 8™ يک ماسفت برقي با سرعت بالا و ولتاژ بالا در حالت سوئيچ کانال N است. اين نسخه «FREDFET» داراي يک ديود منبع تخليه (بدنه) است که براي قابليت اطمينان بالا در پل تغيير فاز ZVS و مدارهاي ديگر از طريق کاهش trr، بازيابي نرم و قابليت بازيابي بالا dv/dt بهينه شده است. شارژ گيت کم، بهره بالا، و نسبت Crss/Ciss بسيار کاهش يافته است که منجر به ايمني عالي نويز و کاهش سوئيچينگ کم مي شود. مقاومت ذاتي گيت و ظرفيت ساختار گيت پلي سيليکوني به کنترل di/dt در حين سوئيچينگ کمک ميکند و در نتيجه EMI پايين و موازي قابل اعتماد، حتي در هنگام سوئيچينگ در فرکانس بسيار بالا، ميشود.
Description
Power MOS 8™ is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET. This FREDFET version has a drain-source (body) diode that has been optimized for high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced trr, soft recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high gain, and a greatly reduced ratio of Crss/Ciss result in excellent noise immunity and low switching loss. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure help control di/dt during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling, even when switching at very high frequency.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد