ماسفت کانال N
TP65H035G4WS
650V SuperGaN® FET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-247
قیمت تک فروشی 21,576,222 ریال
قیمت عمده 20,558,688 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 20,151,674 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده19,948,167 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 25.333 تتر با تخفیف
119.54113.85111.57110.43
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
156 وات |
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
10 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
10 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
1500 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
147 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
5 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.041 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
22 نانو کولن |
|
شرکت توليد کننده |
Transphorm |
|
توضیحات
TP65H035G4WS 650V، 35 m ohm نيتريد گاليم (GaN) FET يک دستگاه معمولي خاموش است که از پلت فرم Gen IV Transphorm استفاده مي کند. ترکيبي از پيشرفته ترين GaN HEMT ولتاژ بالا با ماسفت سيليکوني ولتاژ پايين براي ارائه قابليت اطمينان و عملکرد عالي. پلتفرم Gen IV SuperGaN® از فناوريهاي طراحي پيشرفته epi و ثبت اختراع براي سادهسازي قابليت ساخت و در عين حال بهبود کارايي نسبت به سيليکون از طريق شارژ گيت کمتر، ظرفيت خروجي، تلفات متقاطع و شارژ بازيابي معکوس استفاده ميکند.
Description
The TP65H035G4WS 650V, 35 mohm gallium nitride (GaN) FET is a normally-off device using Transphorm’s Gen IV platform. It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد