توضیحات
GLS29EE010 يک EEPROM صفحه Write CMOS 128K x8 است که با فناوري SuperFlash با کارايي بالا ساخته شده است. طراحي سلول‌هاي گيت‌شکل و انژکتور تونل‌زني اکسيد ضخيم در مقايسه با روش‌هاي جايگزين، قابليت اطمينان و ساخت‌پذيري بهتري دارند.
نوشتن GLS29EE010 با يک منبع تغذيه. پاک کردن/برنامه داخلي براي کاربر شفاف است. GLS29EE010 با پين اوت هاي استاندارد JEDEC براي حافظه هاي بايتي مطابقت دارد.
GLS29EE010 با قابليت Page-Write با کارايي بالا، زمان نوشتن بايت معمولي 39 ميکرو ثانيه را فراهم مي کند. کل حافظه، يعني 128 کيلوبايت، مي تواند صفحه به صفحه در کمتر از 5 ثانيه نوشته شود، زماني که از ويژگي هاي رابط مانند Toggle Bit يا Data# Polling براي نشان دادن تکميل چرخه Write استفاده مي شود.
براي محافظت در برابر نوشتن سهوي، GLS29EE010 داراي طرح‌هاي حفاظت از داده‌هاي سخت‌افزار و نرم‌افزار روي تراشه است. GLS29EE010 که براي طيف وسيعي از کاربردها طراحي، توليد و آزمايش شده است، با ماندگاري تضمين شده صفحه نوشتن 10000 چرخه ارائه مي شود. نگهداري داده ها بيش از 100 سال رتبه بندي شده است.
GLS29EE010 براي برنامه هايي مناسب است که نياز به به روز رساني راحت و اقتصادي برنامه، پيکربندي يا حافظه داده دارند. براي همه کاربردهاي سيستم، GLS29EE010 عملکرد و قابليت اطمينان را به طور قابل توجهي بهبود مي بخشد، در حالي که مصرف برق را کاهش مي دهد.
Description
The GLS29EE010 is a 128K x8 CMOS Page-Write EEPROMs manufactured with high-performance SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches.
The GLS29EE010 write with a single power supply. Internal Erase/Program is transparent to the user. The GLS29EE010 conform to JEDEC standard pinouts for byte-wide memories.
Featuring high performance Page-Write, the GLS29EE010 provides a typical Byte-Write time of 39 µsec. The entire memory, i.e., 128 Kbyte, can be written page-by-page in as little as 5 seconds, when using interface features such as Toggle Bit or Data# Polling to indicate the completion of a Write cycle.
To protect against inadvertent write, the GLS29EE010 has on-chip hardware and Software Data Protection schemes. Designed, manufactured, and tested for a wide spectrum of applications, the GLS29EE010 is offered with a guaranteed Page-Write endurance of 10,000 cycles. Data retention is rated at greater than 100 years.
The GLS29EE010 is suited for applications that require convenient and economical updating of program, configuration, or data memory. For all system applications, the GLS29EE010 significantly improves performance and reliability, while lowering power consumption.
|