|
ماژول IGBT
2MBI200S-120-02
1200V 200A Dual IGBT in One Package
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: Module
قیمت تک فروشی 36,019,785 ریال
قیمت عمده 34,603,100 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 34,036,426 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده33,753,089 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 51.125 تتر با تخفیف
234.25223.1218.64216.41
|
توضیحات
IGBT ترکيبي از دو ترانزيستور BJT و ماسفت است. IGBT از ديد ورودي، يک ماسفت، و از ديد خروجي يک BJT است. BJT و ماسفت داراي خصوصياتي هستند که از نقطه نظرهايي يکديگر را تکميل مي‌کنند. BJTها در حالت روشن (وصل) داراي تلفات هدايتي کمتري هستند، درحاليکه زمان سوئيچينگ آن‌ها به خصوص هنگام خاموش شدن طولاني‌تر است. ماسفت‌ها قادرند که به مراتب سريعتر قطع و وصل شوند، بنابراين تلفات هدايت آن‌ها بيشتر است. IGBT ترانزيستوري است که مزاياي BJT و ماسفت را باهم دارد؛ مانند امپدانس ورودي بالا (مانند ماسفت) افت ولتاژ و تلفات کم (مانند BJT) ولتاژ حالت روشن (وصل) کم (مانند BJT) نام پايه‌هاي IGBT هم از نام پايه‌هاي BJT و ماسفت گرفته شده‌است؛ گِيت از ماسفت، و کلکتور و اميتر هم از BJT. مهم‌ترين و تقريباً تنها کارايي IGBT، سوييچينگ جريان‌هاي بالا است.
Description
IGBT is a combination of BJT and MOSFET transistors. The IGBT is a MOSFET from the input point of view, and a BJT from the output point of view. BJT and MOSFET have characteristics that complement each other from some points of view. BJTs have lower conduction losses in the on (connected) state, while their switching times are longer, especially when turned off. MOSFETs are able to switch on and off much faster, so their conduction losses are higher. IGBT is a transistor that has the advantages of BJT and MOSFET. such as high input impedance (such as MOSFET), low voltage drop and losses (such as BJT), low on-state voltage (such as BJT), and the names of IGBT bases are derived from the names of BJT and MOSFET bases; Gate from MOSFET, and collector and emitter from BJT. The most important and almost the only function of IGBT is switching high currents.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد