ماسفت آرایه ای
SI2329DS
Mosfet Array 2N-CH 80V 23A (Ta) 68W Surface Mount
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: LFPAK56D
قیمت تک فروشی 66,022 ریال
قیمت عمده 62,964 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 61,741 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده61,129 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.091 تتر با تخفیف
0.510.490.480.47
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
55- سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
2.5 وات |
|
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.030 اهم |
|
|
توضیحات
ماسفت کانال P (ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي) نوعي از ماسفت هاي کانال P با اکسيد فلزي-نيمه هادي است که براي کنترل جريان الکتريکي در مدارهاي الکترونيکي با تعديل ولتاژ اعمال شده به ترمينال گيت استفاده مي شود. . آنها معمولاً در کاربردهاي مختلفي از جمله مديريت توان، تنظيم ولتاژ و مدارهاي سوئيچينگ استفاده مي شوند.
هنگامي که يک ولتاژ منفي (نسبت به منبع) به ترمينال گيت اعمال مي شود، يک ماسفت کانال P با کنترل جريان جريان بين پايانه هاي منبع و تخليه عمل مي کند. هنگامي که ولتاژ منبع گيت (Vgs) منفي است، ماسفت در حالت "روشن" خود قرار مي گيرد و به جريان اجازه مي دهد.
Description
A P-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) is a type of metal-oxide-semiconductor P-channel MOSFETs are used to control the flow of electrical current in electronic circuits by modulating the voltage applied to the gate terminal. They are commonly used in various applications, including power management, voltage regulation, and switching circuits.
A P-channel MOSFET operates by controlling the flow of current between the source and drain terminals when a negative voltage (relative to the source) is applied to the gate terminal. When the gate-source voltage (Vgs) is negative, the MOSFET is in its "on" state, allowing current to flow.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد