|
ماسفت کانال N
2SK1334BYTL-E
Silicon N Channel MOSFET, High speed power switching
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: SOT-89
قیمت تک فروشی 451,504 ریال
قیمت عمده 430,122 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 421,570 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده417,294 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.664 تتر با تخفیف
4.033.843.763.72
|
|
|
|
|
| نوع محصول |
MOSFET- High speed power switching |
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| ظرفيت خازني ورودي Ciss |
80 پيکو فاراد |
|
| ظرفيت خازني خروجي Coss |
40 پيکو فاراد |
|
| ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
7 پيکو فاراد |
|
| مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
7 اهم |
|
|
|
توضیحات
يکي از رايج ترين انواع ترانزيستورهاي FET گيت عايق که در بسياري از مدارهاي الکترونيکي استفاده مي شود، ترانزيستور اثر ميدان نيمه هادي اکسيد فلز يا به اختصار ماسفت نام دارد. ماسفت يا GFET يک ترانزيستور اثر ميدان کنترل شده با ولتاژ است. تفاوت اين ترانزيستور با JFET در آن است که داراي يک الکترود دروازه اي "اکسيد فلز" است که از کانال n يا کانال p نيمه هادي اصلي توسط يک لايه بسيار نازک از مواد عايق عايق شده است.
Description
One of the most common types of insulated gate FET transistor used in many electronic circuits is called Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor or MOSFET for short. MOSFET or GFET is a voltage controlled field effect transistor. This transistor differs from the JFET in that it has a "metal oxide" gate electrode that is insulated from the n-channel or p-channel of the original semiconductor by a very thin layer of insulating material.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد