ماسفت کانال N
PEE28BB
Mosfet, N-channel, drain source device. The PEE28BB is manufactured by Niko-sem and has a package name of PDFN 3x3P. Its rated at 30V, 124A, and 0.0018Ω. Its also halogen-free and lead-free
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: PDFN 3X3P
قیمت تک فروشی 438,549 ریال
قیمت عمده 417,767 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 409,454 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده405,297 ریال (1000 به بالا)
![SKYTECH](bootstrap/img/Icon/tether.png) قیمت تک فروشی 0.689 تتر با تخفیف
4.163.963.883.84
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
78 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
93 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
2915 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
1117 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
88 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.0018 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
52 نانو کولن |
|
توضیحات
در يک دستگاه "حالت افزايش" کانال n، يک کانال رسانا به طور طبيعي در ترانزيستور وجود ندارد و يک ولتاژ دروازه به منبع مثبت براي ايجاد آن ضروري است. ولتاژ مثبت الکترون هاي شناور آزاد درون بدن را به سمت دروازه جذب مي کند و يک کانال رسانا را تشکيل مي دهد.
Description
In an n-channel "enhancement-mode" device, a conductive channel does not exist naturally within the transistor, and a positive gate-to-source voltage is necessary to create one. The positive voltage attracts free-floating electrons within the body towards the gate, forming a conductive channel.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد