توضیحات
Am27C512 يک حافظه 512 کيلوبيتي و قابل برنامه ريزي فقط خواندني با اشعه ماوراء بنفش است. به صورت 64 هزار کلمه با 8 بيت در هر کلمه سازماندهي شده است، از يک منبع تغذيه +5 ولت کار مي کند، حالت آماده به کار استاتيک دارد، و داراي برنامه نويسي سريع تک آدرس مکان است. محصولات در بسته‌هاي DIP سراميکي پنجره‌دار و همچنين بسته‌هاي PDIP و PLCC پلاستيکي قابل برنامه‌ريزي يک‌باره (OTP) در دسترس هستند. به طور معمول مي توان به داده ها در کمتر از 55 ns دست يافت و به ريزپردازنده هاي با کارايي بالا اجازه مي دهد بدون هيچ حالت WAIT کار کنند. اين دستگاه کنترل‌هاي جداگانه Output Enable (OE#) و Chip Enable (CE#) را ارائه مي‌کند، بنابراين اختلاف گذرگاه در يک سيستم ريزپردازنده چند باس را حذف مي‌کند. فناوري فرآيند CMOS AMD سرعت بالا، قدرت کم و ايمني بالاي نويز را فراهم مي کند. مصرف برق معمولي تنها 80 مگاوات در حالت فعال و 100 ميکرووات در حالت آماده به کار است. همه سيگنال ها از جمله سيگنال هاي برنامه نويسي سطح TTL هستند. مکان هاي بيت ممکن است به صورت تکي، بلوک يا تصادفي برنامه ريزي شوند. اين دستگاه از الگوريتم برنامه نويسي Flashrite AMD (پالس 100 ميکرو ثانيه) پشتيباني مي کند که در نتيجه زمان برنامه نويسي معمولي 8 ثانيه است.
Description
The Am27C512 is a 512-Kbit, ultraviolet erasable programmable read-only memory. It is organized as 64K words by 8 bits per word, operates from a single +5 V supply, has a static standby mode, and features fast single address location programming. Products are available in windowed ceramic DIP packages, as well as plastic one time programmable (OTP) PDIP and PLCC packages. Data can be typically accessed in less than 55 ns, allowing high-performance microprocessors to operate without any WAIT states. The device offers separate Output Enable (OE#) and Chip Enable (CE#) controls, thus eliminating bus contention in a multiple bus microprocessor system. AMD’s CMOS process technology provides high speed, low power, and high noise immunity. Typical power consumption is only 80 mW in active mode, and 100 µW in standby mode. All signals are TTL levels, including programming signals. Bit locations may be programmed singly, in blocks, or at random. The device supports AMD’s Flashrite programming algorithm (100 µs pulses), resulting in a typical programming time of 8 seconds.
|