ترانزیستور کانال N
FDN357N
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: SOT-23-3
قیمت تک فروشی 189,123 ریال
قیمت عمده 180,360 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 176,855 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده175,102 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.228 تتر با تخفیف
1.261.21.181.16
|
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
0.5 وات |
|
حداکثر دماي کاري |
155 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
55- سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
22 نانو ثانيه |
|
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
235 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
145 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
50 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.14 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
5.9 نانو کولن |
|
|
توضیحات
ترانزيستورهاي اثر ميدان قدرت حالت افزايش سطح منطقي SuperSOTTM-3 N-Channel با استفاده از فناوري DMOS اختصاصي Fairchild توليد مي شوند. اين فرآيند با چگالي بسيار بالا به ويژه براي به حداقل رساندن مقاومت در حالت تنظيم شده است. اين دستگاهها بهويژه براي کاربردهاي ولتاژ پايين در رايانههاي نوتبوک، تلفنهاي قابل حمل، کارتهاي PCMCIA و ديگر مدارهاي با باتري مناسب هستند، جايي که سوئيچينگ سريع و اتلاف انرژي کم در خط در يک بسته نصب سطحي بسيار کوچک مورد نياز است.
Description
SuperSOTTM-3 N-Channel logic level enhancement mode power
field effect transistors are produced using Fairchild
proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high
density process is especially tailored to minimize on-state
resistance. These devices are particularly suited for low voltage
applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA
cards, and other battery powered circuits where fast
switching, and low in-line power loss are needed in a very small
outline surface mount package.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد