|
حافظه SDRAM
K4A4G165WF-BCTD
4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 only
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: FBGA-96
قیمت تک فروشی 1,598,054 ریال
قیمت عمده 1,524,170 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,494,617 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,479,840 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 2.268 تتر با تخفیف
12.111.5211.2911.17
|
توضیحات
F-die 4 گيگابايتي DDR4 SDRAM به عنوان يک دستگاه ورودي/خروجي 32 مگابيت x 16 x 8 بانک سازماندهي شده است. اين دستگاه همزمان به سرعت انتقال داده با سرعت دو برابر تا 3200 مگابيت بر ثانيه/پاين (DDR4-3200) براي کاربردهاي عمومي دست مي يابد. اين تراشه به گونه‌اي طراحي شده است که با ويژگي‌هاي کليدي DDR4 SDRAM مانند CAS ارسال‌شده، CWL قابل برنامه‌ريزي، کاليبراسيون داخلي (خود)، در حالت پايان با استفاده از پين ODT و تنظيم مجدد ناهمزمان مطابقت داشته باشد. تمام ورودي هاي کنترل و آدرس با يک جفت ساعت ديفرانسيل خارجي عرضه شده هماهنگ مي شوند. ورودي ها در نقطه تقاطع ساعت هاي ديفرانسيل (CK افزايش و CK کاهش مي يابد) چفت مي شوند. همه ورودي/خروجي ها با يک جفت بارق دو طرفه (DQS و DQS) به صورت همزمان منبع همگام مي شوند. گذرگاه آدرس براي انتقال اطلاعات رديف، ستون و آدرس بانک در سبک مالتي پلکسي RAS/CAS استفاده مي شود. دستگاه DDR4 با يک منبع تغذيه 1.2V (1.14V~1.26V)، 1.2V (1.14V~1.26V) VDDQ و 2.5V (2.375V~2.75V) VPP کار مي کند. دستگاه 4 گيگابايتي DDR4 F-die در 96 توپ FBGA (x16) موجود است.
Description
The 4Gb DDR4 SDRAM F-die is organized as a 32Mbit x 16 I/Os x 8banks
device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate
transfer rates of up to 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200) for general applications.
The chip is designed to comply with the following key DDR4 SDRAM features such as posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration,
On Die Termination using ODT pin and Asynchronous Reset.
All of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the crosspoint of differential clocks (CK rising and CK falling). All I/Os are synchronized with a
pair of bidirectional strobes (DQS and DQS) in a source synchronous fashion. The address bus is used to convey row, column, and bank address
information in a RAS/CAS multiplexing style. The DDR4 device operates
with a single 1.2V (1.14V~1.26V) power supply, 1.2V(1.14V~1.26V) VDDQ
and 2.5V (2.375V~2.75V) VPP.
The 4Gb DDR4 F-die device is available in 96ball FBGAs(x16).
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد