ماسفت کانال N
FQPF9N50C
N-Channel QFET® MOSFET 500 V, 9 A, 800 mΩ
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220F
قیمت تک فروشی 541,612 ریال
قیمت عمده 480,004 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 471,379 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده467,066 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.769 تتر با تخفیف
3.923.433.363.33
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
55- سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
65 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
64 نانو ثانيه |
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
790 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
130 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
24 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.8 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
28 نانو کولن |
|
توضیحات
اين ترانزيستورهاي اثر ميدان قدرت حالت بهبود N-Channel با استفاده از فناوري DMOS اختصاصي Fairchild توليد مي شوند. اين فناوري پيشرفته به ويژه براي به حداقل رساندن مقاومت در حالت تنظيم شده است، عملکرد سوئيچينگ برتر و مقاومت در برابر پالس انرژي بالا در حالت avalanche و کموتاسيون را ارائه مي دهد. اين دستگاه ها براي منابع تغذيه با راندمان بالا، تصحيح ضريب توان فعال، بالاست هاي لامپ الکترونيکي بر اساس توپولوژي نيم پل مناسب هستند.
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild s proprietary,
planar stripe, DMOS technology. This advanced
technology has been especially tailored to minimize onstate resistance, provide superior switching performance,
and withstand high energy pulse in the avalanche and
commutation mode. These devices are well suited for high
efficiency switched mode power supplies, active power
factor correction, electronic lamp ballasts based on half
bridge topology.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد