ماسفت کانال N
IRFR3709ZPBF
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-252-3
قیمت تک فروشی 458,554 ریال
قیمت عمده 437,147 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 428,584 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده424,302 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.634 تتر با تخفیف
3.563.43.333.29
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
12 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
3.9 نانو ثانيه |
|
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
8.2 اهم |
|
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي نوعي ترانزيستور اثر ميداني است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين مي کند
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor is a type of field-effect transistor, most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد