ماسفت کانال N
HY3410P
100V 140A N-Channel MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220FB-3L
قیمت تک فروشی 542,578 ریال
قیمت عمده 519,210 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 509,863 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده505,189 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.656 تتر با تخفیف
3.363.23.143.1
|
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
375 وات |
|
حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
55- سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
39 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
46 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
25 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
6140 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
943 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
490 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.024 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
130 نانو کولن |
|
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي (MOSFET، MOS-FET يا MOS FET) نوعي ترانزيستور اثر ميداني (FET) است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين مي کند. اين توانايي براي تغيير رسانايي با مقدار ولتاژ اعمال شده مي تواند براي تقويت يا سوئيچينگ سيگنال هاي الکترونيکي استفاده شود. ترانزيستور اثر ميداني فلز-عايق-نيمه هادي (MISFET) اصطلاحي است که تقريباً مترادف با ماسفت است. مترادف ديگر IGFET براي ترانزيستور اثر ميداني گيت عايق است.
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET) is a type of field-effect transistor (FET), most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device. This ability to change conductivity with the amount of applied voltage can be used for amplifying or switching electronic signals. A metal-insulator- semiconductor field-effect transistor (MISFET) is a term almost synonymous with MOSFET. Another synonym is IGFET for insulated-gate field-effect transistor.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد