ماسفت کانال P
2SJ652-1E
TrenchFET Power MOSFET
کیفیت: Not original(copy) پکیج:
قیمت تک فروشی 548,355 ریال
قیمت عمده 424,766 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 417,351 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده413,643 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.756 تتر با تخفیف
3.922.942.882.85
|
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
4360 پيکو فاراد |
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
210 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
180 نانو ثانيه |
|
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
470 پيکو فاراد |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
80 نانو کولن |
|
توضیحات
اين ماسفت ها بصورت گسترده در منبع تغذيه هاي AC-DC، مبدل هاي DC -DC و کنترلر موتور مورد استفاده قرار ميگيرند.
*کاربرد ها:
*منبع تغذيه هاي سوييچينگ
*مدار هاي سوييچ قدرت
*اينورتر ها
*کاربرد و اهداف عمومي
ماسفت (MOSFET) مخفف عبارت Meta Oxide Semiconductor Field Effect Transistor است و همانطور که از نام آن مشخص است از نوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (Field Effect Transistor = FET) مي باشد.
برخلاف ترانزيستورهاي BJT که برمبناي کنترل جريان عمل مي کنند، ماسفت ها بر مبناي کنترل ولتاژ عمل مي کنند و به جاي سه پايه ي Base و Collector و Emitter داراي سه پايه ي Gate و Source و Drain مي باشند.
Description
175C MOSFET,
-FEATURES
* TrenchFET Power MOSFET
* 175C Maximum Junction
Temperature
* 100% Rg Tested
* Advanced Process Technology
* Key Parameters Optimized for PDP Sustain,
Energy Recovery and Pass Switch Applications
* Low EPULSE Rating to Reduce Power
Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery
and Pass Switch Applications
* Low QG for Fast Response
* High Repetitive Peak Current Capability for
Reliable Operation
* Short Fall & Rise Times for Fast Switching
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد