|
ماسفت کانال N
IPB034N06L3G
MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
کیفیت: نا مشخص پکیج: TO-263-3
قیمت تک فروشی 2,800,112 ریال
قیمت عمده 2,627,355 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 2,575,528 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده2,549,614 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 3.295 تتر با تخفیف
15.5214.5514.2614.11
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
| حداکثر توان مصرفي |
167 وات |
|
| حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
1.2 ولت |
|
|
|
| مجموع شارژ کامل Qg |
79 نانو کولن |
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي نوعي ترانزيستور اثر ميداني است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين مي کند.
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor is a type of field-effect transistor, most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد