|
ماسفت
IPD30N08S2L-21
MOSFET N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: PG-TO252-3-11
قیمت تک فروشی 1,575,196 ریال
قیمت عمده 1,500,520 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,470,650 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,455,714 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 2.723 تتر با تخفیف
14.1113.4413.1713.04
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
| حداکثر توان مصرفي |
136 وات |
|
|
|
|
|
| زمان خيز Tr |
30 نانو ثانيه |
|
| زمان افت Tf |
11 نانو ثانيه |
|
| مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
20.5 اهم |
|
|
|
| مجموع شارژ کامل Qg |
72 نانو کولن |
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي (MOSFET، MOS-FET يا MOS FET) نوعي ترانزيستور اثر ميداني (FET) است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين مي کند. اين توانايي براي تغيير رسانايي با مقدار ولتاژ اعمال شده مي تواند براي تقويت يا سوئيچينگ سيگنال هاي الکترونيکي استفاده شود. ترانزيستور اثر ميداني فلز-عايق-نيمه هادي (MISFET) اصطلاحي است که تقريباً مترادف با ماسفت است. مترادف ديگر IGFET براي ترانزيستور اثر ميداني گيت عايق است.
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET) is a type of field-effect transistor (FET), most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device. This ability to change conductivity with the amount of applied voltage can be used for amplifying or switching electronic signals. A metal-insulator-semiconductor field-effect transistor (MISFET) is a term almost synonymous with MOSFET. Another synonym is IGFET for insulated-gate field-effect transistor.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد