یکسوکننده شاتکی
C3D16060D
3rd Generation 600 V, 16 A Silicon Carbide Schottky Diode
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-247
قیمت تک فروشی 9,006,509 ریال
قیمت عمده 8,584,056 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 8,415,075 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده8,330,584 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 12.783 تتر با تخفیف
70.5667.265.8665.18
|
|
|
|
|
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
توضیحات
با مزاياي عملکرد ديود سدي شاتکي کاربيد سيليکون (SiC)، سيستمهاي الکترونيک قدرت ميتوانند انتظار داشته باشند که استانداردهاي کارايي بالاتري نسبت به راهحلهاي مبتني بر Si داشته باشند، در حالي که فرکانسها و چگاليهاي توان بالاتري نيز دارند. ديودهاي SiC را مي توان به راحتي موازي کرد تا نيازهاي کاربردي مختلف را برآورده کند، بدون نگراني از فرار حرارتي. در ترکيب با کاهش نيازهاي خنک کننده و بهبود عملکرد حرارتي محصولات SiC، ديودهاي SiC قادرند هزينه هاي کلي سيستم را در انواع کاربردهاي متنوع فراهم کنند.
Description
With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to meet various application demands, without concern of thermal runaway. In combination with the reduced cooling requirements and improved thermal performance of SiC products, SiC diodes are able to provide lower overall system costs in a variety of diverse applications.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد