توضیحات
Am29F800B يک حافظه فلش 8 مگابيت و فقط 5.0 ولتي است که به صورت 1,048,576 بايت يا 524,288 کلمه سازماندهي شده است. اين دستگاه در بسته هاي 44 پين SO، 48 پين TSOP و 48 توپ FBGA عرضه مي شود. اين دستگاه به شکل شناخته شده خوب (KGD) نيز موجود است. براي اطلاعات بيشتر به شماره نشريه 21631 مراجعه نماييد.
داده هاي کل کلمه (x16) در DQ15–DQ0 ظاهر مي شود. داده هاي پهن بايت (x8) در DQ7–DQ0 ظاهر مي شوند. اين دستگاه براي برنامه ريزي در سيستم با منبع تغذيه استاندارد 5.0 ولت VCC طراحي شده است. VPP 12.0 V براي عمليات نوشتن يا پاک کردن مورد نياز نيست. دستگاه را مي توان در برنامه نويس هاي استاندارد EPROM نيز برنامه ريزي کرد.
اين دستگاه با استفاده از فناوري فرآيند 0.32 ميکرومتر AMD توليد شده است و تمام ويژگي ها و مزاياي Am29F800 را که با استفاده از فناوري فرآيند 0.5 ميکرومتر توليد شده است را ارائه مي دهد. دستگاه استاندارد زمان دسترسي 55، 70، 90 و 120 ns را ارائه مي دهد و به ريزپردازنده هاي سرعت بالا اجازه مي دهد تا بدون حالت انتظار کار کنند.
Description
The Am29F800B is an 8 Mbit, 5.0 volt-only Flash memory organized as 1,048,576 bytes or 524,288 words. The device is offered in 44-pin SO, 48-pin TSOP, and 48-ball FBGA packages. The device is also available in Known Good Die (KGD) form. For more information, refer to publication number 21631.
The word-wide data (x16) appears on DQ15–DQ0; the byte-wide (x8) data appears on DQ7–DQ0. This device is designed to be programmed in-system with the standard system 5.0 volt VCC supply. A 12.0 V VPP is not required for write or erase operations. The device can also be programmed in standard EPROM programmers.
This device is manufactured using AMD’s 0.32 µm process technology, and offers all the features and benefits of the Am29F800, which was manufactured using 0.5 µm process technology. The standard device offers access times of 55, 70, 90, and 120 ns, allowing high speed microprocessors to operate without wait states.
.
|