ماسفت N
IXTA3N150
These Power MOSFETs are designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY™ process.
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج:
قیمت تک فروشی 664,970 ریال
قیمت عمده 516,227 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 507,303 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده502,840 ریال (1000 به بالا)
![SKYTECH](bootstrap/img/Icon/tether.png) قیمت تک فروشی 0.741 تتر با تخفیف
3.842.882.822.79
|
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
1375 پيکو فاراد |
|
|
حداکثر توان مصرفي |
250 وات |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
90 پيکو فاراد |
|
توضیحات
ماسفت منفي 1200 ولت 2.5 آمپر
اين ماسفت ها بصورت گسترده در منبع تغذيه هاي AC-DC، مبدل هاي DC -DC و کنترلر موتور مورد استفاده قرار ميگيرند.
*کاربرد ها:
*منبع تغذيه هاي سوييچينگ
*مدار هاي سوييچ قدرت
*اينورتر ها
*کاربرد و اهداف عمومي
ماسفت (MOSFET) مخفف عبارت Meta Oxide Semiconductor Field Effect Transistor است و همانطور که از نام آن مشخص است از نوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (Field Effect Transistor = FET) مي باشد.
برخلاف ترانزيستورهاي BJT که برمبناي کنترل جريان عمل مي کنند، ماسفت ها بر مبناي کنترل ولتاژ عمل مي کنند و به جاي سه پايه ي Base و Collector و Emitter داراي سه پايه ي Gate و Source و Drain مي باشند.
Description
These Power MOSFETs are designed using the
company’s consolidated strip layout-based MESH
OVERLAY™ process. The result is a product that
matches or improves on the performance of
comparable standard parts from other
manufacturers.
• 100% avalanche tested
• Intrinsic capacitances and Qg minimized
• High speed switching
• Fully isolated TO-3PF plastic package,
creepage distance path is 5.4 mm (typ.)
Applications
• Switching applications
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد