|
ماسفت کانال N
IRFPS30N60K
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-247
قیمت تک فروشی 2,464,423 ریال
قیمت عمده 2,250,612 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 2,207,850 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده2,186,469 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 3.637 تتر با تخفیف
21.1219.218.8218.62
|
|
|
|
|
| نوع عملکرد |
MOSFET Function Type |
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
| حداکثر توان مصرفي |
450 وات |
|
| ظرفيت خازني ورودي Ciss |
5870 پيکو فاراد |
|
| ظرفيت خازني خروجي Coss |
530 پيکو فاراد |
|
|
|
توضیحات
مزيت اصلي ماسفت اين است که در مقايسه با ترانزيستورهاي دوقطبي (ترانزيستورهاي اتصال دوقطبي / BJT) براي کنترل جريان بار تقريباً به هيچ جريان ورودي نياز ندارد. در حالت بهبود ماسفت، ولتاژ اعمال شده به ترمينال گيت رسانايي دستگاه را افزايش مي دهد. در ترانزيستورهاي حالت تخليه، ولتاژ اعمال شده در گيت باعث کاهش رسانايي مي شود
Description
The main advantage of a MOSFET is that it requires almost no input current to control the load current, when compared with bipolar transistors (bipolar junction transistors/BJTs). In an enhancement mode MOSFET, voltage applied to the gate terminal increases the conductivity of the device. In depletion mode transistors, voltage applied at the gate reduces the conductivity
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد