ماسفت N
STW70N60DM2 TO-247
N-channel 600 V,Power MOSFET in a TO-247 package.
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-247
قیمت تک فروشی 4,775,191 ریال
قیمت عمده 4,523,883 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 4,435,925 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده4,391,947 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 6.6 تتر با تخفیف
35.8933.9533.2732.93
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
446 وات |
|
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
25 ولت |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
42 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
121 نانو کولن |
|
توضیحات
ماسفت 70n60dm2 يک ماسفت فرکانس بالا با دماي عملياتي تا 150 درجه، 600 ولت و 66امپر ميباشد.
نوع ديگري از ترانزيستورهاي اثر ميدان وجود دارد که ورودي گيت آنها، از نظر الکتريکي نسبت به کانال حامل جريان عايق شده است و به همين دليل، ترانزيستور اثر ميدان با گيت ايزوله شده (Insulated Gate Field Effect Transistor) يا IGDET ناميده ميشود.
تداولترين FET با گيت ايزوله شده که در کاربردهاي مختلفي به کار ميرود، ترانزيستور اثر ميداني نيمهرساناي اکسيد فلز يا ماسفت (MOSFET) است. IGFET يا MOSFET يک ترانزيستور اثر ميدان کنترل شده با ولتاژ است که با JFET تفاوت دارد و اين تفاوت، يک الکترود گيت «اکسيد فلز» است که از نظر الکتريکي نسبت به نيمههادي اصلي کانال N يا کانال P با يک لايه بسيار نازک از ماده عايق کننده (معمولاً اکسيد سيليکون) جدا شده است.
Description
N-channel 600 V,Power MOSFET in a TO-247 package.
Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fastrecovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined
with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency
converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Featurs :
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
Applications
• Switching applications
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد