ماسفت کانال N
IRLML2502TRPBF
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™
کیفیت: Not original(copy) پکیج: SOT-23
قیمت تک فروشی 91,391 ریال
قیمت عمده 78,567 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 77,028 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده76,258 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.126 تتر با تخفیف
0.690.590.580.58
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
1.25 وات |
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
10 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
26 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
-12 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
740 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
90 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.045 اهم |
|
|
توضیحات
ماسفت IRLML2502يک ماسفت فرکانس بالا با دماي عملياتي تا 150 درجه، 20 ولت و 4.2 امپر ميباشد.
نوع ديگري از ترانزيستورهاي اثر ميدان وجود دارد که ورودي گيت آنها، از نظر الکتريکي نسبت به کانال حامل جريان عايق شده است و به همين دليل، ترانزيستور اثر ميدان با گيت ايزوله شده (Insulated Gate Field Effect Transistor) يا IGDET ناميده ميشود.
تداولترين FET با گيت ايزوله شده که در کاربردهاي مختلفي به کار ميرود، ترانزيستور اثر ميداني نيمهرساناي اکسيد فلز يا ماسفت (MOSFET) است. IGFET يا MOSFET يک ترانزيستور اثر ميدان کنترل شده با ولتاژ است که با JFET تفاوت دارد و اين تفاوت، يک الکترود گيت «اکسيد فلز» است که از نظر الکتريکي نسبت به نيمههادي اصلي کانال N يا کانال P با يک لايه بسيار نازک از ماده عايق کننده (معمولاً اکسيد سيليکون) جدا شده است.
Description
These N-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize
advanced processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. This benefit, combined with the fast
switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power
MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely
efficient and reliable device for use in battery and load management.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد