ماسفت کانال N
FQPF10N60C
600V N-Channel MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220F
قیمت تک فروشی 494,753 ریال
قیمت عمده 473,576 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 465,105 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده460,870 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.598 تتر با تخفیف
3.042.92.842.81
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
150 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
165 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
2040 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
215 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
24 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.73 اهم |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
57 نانو کولن |
|
شرکت توليد کننده |
FAIRCHILD |
|
توضیحات
اين ترانزيستورهاي اثر ميدان قدرت حالت بهبود N-Channel با استفاده از فناوري DMOS اختصاصي، نوار مسطح Fairchild توليد ميشوند. اين فناوري پيشرفته به ويژه براي کوچک کردن مقاومت در حالت حالت، ارائه عملکرد سوئيچينگ عالي و مقاومت در برابر پالس انرژي بالا در حالت بهمن و کموتاسيون طراحي شده است. اين دستگاه ها براي منابع تغذيه با راندمان بالا، تصحيح ضريب توان فعال، بالاست هاي لامپ الکترونيکي بر اساس توپولوژي نيم پل مناسب هستند.
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to mini-mize on-state resistance, provide superior switching perfor-mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high effi-ciency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد