ماسفت کانال N
2SK2915
600V 16A SILICON N-CHANNEL MOSFET
کیفیت: Refurbished پکیج: 2-16C1B
قیمت تک فروشی 1,412,550 ریال
قیمت عمده 1,356,000 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,333,380 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,322,070 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 1.515 تتر با تخفیف
6.365.885.82
|
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
30 ولت |
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
3520 پيکو فاراد |
|
|
حداکثر توان مصرفي |
150 وات |
|
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
300 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.4 اهم |
|
مجموع شارژ کامل Qg |
80 نانو کولن |
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميداني (FET) سيليکوني نوع MOS کانال N (MOSV) از شرکت توشيبا با شماره مدل 2SK2915 مناسب براي کاربردهاي تنظيمکننده چپر، مبدل DC-DC و درايو موتور است. اين ترانزيستور داراي مقاومت کم در حالت روشن بين درين و سورس (RDS(ON) برابر با 0.31 اهم به طور معمول است. همچنين انتقال جريان پيشرو بالايي با ميزان 15 زيمنس (typ) دارد. جريان نشت بسيار پايين آن حداکثر 100 ميکروآمپر است (در ولتاژ درين-سورس 600 ولت). اين قطعه از نوع Enhancement Mode است که ولتاژ آستانه آن بين 2.0 تا 4.0 ولت قرار دارد (در شرايط VDS = 10 ولت و ID = 1 ميليآمپر).
Description
The TOSHIBA 2SK2915 is a silicon N-channel MOSFET (?MOSV type) suitable for chopper regulators, DC-DC converters, and motor drive applications. It features a low drain-source ON resistance (RDS(ON)) of typically 0.31 ? and a high forward transfer admittance (|Yfs|) of 15 S. The device has a low leakage current (IDSS) of up to 100 ?A at VDS = 600 V. It operates in enhancement mode with a threshold voltage (Vth) ranging from 2.0 to 4.0 V under conditions of VDS = 10 V and ID = 1 mA.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد