|
ماسفت کانال N
NTD24N06LT4G
MOSFET 24V 60A
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-252
قیمت تک فروشی 599,500 ریال
قیمت عمده 542,350 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 532,063 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده526,920 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 1.034 تتر با تخفیف
54.54.414.37
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
| حداکثر توان مصرفي |
62.5 وات |
|
|
|
|
|
|
|
| زمان خيز Tr |
200 نانو ثانيه |
|
| زمان افت Tf |
100 نانو ثانيه |
|
|
|
| ظرفيت خازني ورودي Ciss |
1140 پيکو فاراد |
|
| ظرفيت خازني خروجي Coss |
360 پيکو فاراد |
|
| مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
45 اهم |
|
|
|
توضیحات
ترانزيستور اثر-اثر-اکسيد-اکسيد هادي ، نوعي ترانزيستور با اثر ميداني است که معمولاً با اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق بندي شده است که ولتاژ آن هدايت دستگاه را تعيين مي کند.
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor is a type of field-effect transistor, most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد