آی سی حافظه فلش
K9GAG08U0E SCBO
Offered in 2Gx8bit, the K9GAG08X0M is a 16G-bit NAND Flash Memory with spare 512M-bit. The device is offered in 2.7V and 3.3V
کیفیت: Refurbished پکیج: TSSOP-48
قیمت تک فروشی 3,047,392 ریال
قیمت عمده 2,877,275 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 2,820,570 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده2,792,217 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 5.007 تتر با تخفیف
26.52524.524.25
|
توضیحات
حافظه هاي مبتني بر اين تکنولوژي اطلاعات را با سرعت زيادي به دستگاه استفاده کننده مي فرستند هم چنين نوشتن اطلاعات بر روي اين حافظه ها بسيار سريعتر از حافظه هاي Nor مي باشد در اين تکنولوژي بر خلاف تکنولوژي Nor اطلاعات به صورت تکه اي خوانده و نوشته مي شوند و به همين دليل کاربرد اين نوع حافظه ها وسيع است
اين کارت ها از حافظه هاي Flash مبتني بر تکنولوژي Nand مي باشند که در سال 1999 توسط دو شرکت TOSHIBA و Panasonic معرفي شدند اين کارت ها در واقع نسل بعدي کارت هاي MMS بودند ظاهر اين کارت ها کاملاً شبيه کارت هاي MMS است با اين تفاوت که کمي ضخيم تر هستند ضمناً کارت هاي SD دو تغيير عمده نسبت به اجداد خود يعني MMS ها دارند يکي تعبيه يک تکنولوژي براي کپي غير مجاز داده ها و ديگري افزايش خواندن و نوشتن در آنها است البته دستگاه هايي که از کارت هاي SD استفاده مي کنند مي توانند از کارت هاي MMS نيز استفاده کنند اما عکس آن ممکن نيست در حال حاضر بيشترين ظرفيت کارت هاي SD 4 گيگا بايت است هم چنين از سال 2003 کارت هاي Micro SD نيز معرفي شدند که بيشترين ظرفيت اين کارت ها در حال حاضر 2 گيگا بايت است اين کارت ها 40 درصد کوچکتر از کارت ها ي استاندارد SD مي باشند طبق يک نظريه و الگوريتم ظرفيت اين کارت ها تا 128 گيگا بايت قابل افزايش مي باشند.
Description
Offered in 2Gx8bit, the K9GAG08X0M is a 16G-bit NAND Flash Memory with spare 512M-bit. The device is offered in 2.7V and 3.3V
Vcc. Its NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state mass storage market. A program operation can be performed in typical 800µs on the 4,224-byte page and an erase operation can be performed in typical 1.5ms on a (512K+16K)byte
block. Data in the data register can be read out at 25ns cycle time per byte. The I/O pins serve as the ports for address and data
input/output as well as command input. The on-chip write controller automates all program and erase functions including pulse repetition, where required, and internal verification and margining of data. The K9GAG08X0M is an optimum solution for large nonvolatile
storage applications such as solid state file storage and other portable applications requiring non-volatility.
FEATURES
• Voltage Supply
- 2.7V Device(K9F8G08B0M) : 2.5V ~ 2.9V
- 3.3V Device(K9F8G08U0M) : 2.7V ~ 3.6V
• Organization
- Memory Cell Array : (2G + 64M) x 8bit
- Data Register : (4K + 128) x 8bit
• Automatic Program and Erase
- Page Program : (4K + 128)Byte
- Block Erase : (512K + 16K)Byte
• Page Read Operation
- Page Size : (4K + 128)Byte
- Random Read : 60µs(Max.)
- Serial Access : 25ns(Min.)
• Memory Cell : 2bit / Memory Cell
2G x 8 Bit NAND Flash Memory
• Fast Write Cycle Time
- Program time : 800µs(Typ.)
- Block Erase Time : 1.5ms(Typ.)
• Command/Address/Data Multiplexed I/O Port
• Hardware Data Protection
- Program/Erase Lockout During Power Transitions
• Reliable CMOS Floating-Gate Technology
- Endurance : TBD(with 4bit/512byte ECC)
- Data Retention : 10 Years
• Command Register Operation
• Unique ID for Copyright Protection
• Package :
- K9GAG08U0M-PCB0/PIB0 : Pb-FREE PACKAGE
48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch)
- K9GAG08B0M-PCB0/PIB0 : Pb-FREE PACKAGE
48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch)
- K9GAG08U0M-ICB0/IIB0
52 - Pin ULGA (12 x 17 / 1.00 mm pitch)
- K9LBG08U1M-ICB0/IIB0
52 - Pin ULGA (12 x 17 / 1.00 mm pitch)
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد