IGBT
FGH40N60SMD
600V 80A IGBT Transistor in TO-247 Package
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-247
قیمت تک فروشی 1,331,862 ریال
قیمت عمده 1,277,302 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 1,253,296 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده1,241,293 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 2.185 تتر با تخفیف
11.0410.5610.3510.24
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
155 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
حداکثر توان مصرفي |
349 وات |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
1880 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
180 پيکو فاراد |
|
توضیحات
IGBT ( مخفف کلمه The Insulated Gate Bipolar Transistor ) جزيي از نيمه هادي هاي قدرت بوده و در درجه اول به عنوان يک سوئيچ الکترونيکي استفاده ميشود. اين قطعه حامل اقليت با امپدانس ورودي بالا و قابليت بالاي حمل جريان دوقطبي مي باشد.
IGBT (ترانزيستور دو قطبي با گيت عايق شده ) يک نيمه هادي جديد و کاملاً صنعتي است که از ترکيب دو نوع ترانزيستور BJT و MOSFET ساخته شده است.بسياري از طراحان، IGBT را به عنوان قطعه اي با ويژگي هاي ورودي MOSFET و ويژگي خروجي دوقطبي BJT نشان مي دهند که يک دستگاه دو قطبي که با ولتاژ کنترل مي شود.در دستگاههاي جديد از اين قطعه براي سوئيچينگ سريع و بازدهي بالا استفاده ميشود. اين سوئيچ برق در بسياري از لوازم مدرن از جمله خودروهاي برقي، قطار، يخچالها، تردميل، دستگاههاي تهويه مطبوع و حتي سيستمهاي استريو و تقويت کنندهها استفاده ميشود. همچنين در ساخت انواع اينورترها، ترانس هاي جوش و
UPS کاربرد دارد.
IGBT براي بسياري از کاربردهاي الکترونيک قدرت مخصوصا در سرو موتور مدولاسيون پهناي باند(PWM) و درايوهاي سه فاز که نياز به کنترل رنج وسيعي از پهناي باند و نويز کم دارند، مناسب مي باشد.
در فرکانس هاي بالاي کليدزني از يک ترانزيستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده ميشود. همچنين با بالا رفتن فرکانس ، ترانزيستور ديگر خطي عمل نميکند و نويز مخابراتي شديدي را با توان بالا توليد ميکند.
به همين سبب در فرکانس کليدزني بالا از المان کم مصرف POWER MOSFET استفاده ميشود، اين در حالي است که با بالا رفتن قدرت، تلفات آن نيز زياد ميشود.
اين مشکلات باعث آن شد که المان جديدي وارد بازار شود که تمامي مزاياي قطعه فوق را دارد و ديگر معايب BJT و POWER MOSFET را ندارد، اين قطعه جديد IGBT نام دارد. در طي سالهاي اخير به دليل ارزاني و مزاياي اين قطعه از آن استفاده زيادي شده است.
Description
Fairchild launched 600V insulated gate (IGBT) bipolar transistor FGH40N60SFD, rated power 40A, voltage 600V. By reducing power consumption and improve the IGBT best performance.
FGH40N60SFD adopt TO-247 package,
At the same gate resistance of 20A and Ice case, SFD off losses 50% lower than its competitors, because its off di / dt faster.
In the off dv / dt and the same gate resistance to different conditions, FGH40N60SFD IGBT turn-off losses low.
FGH40N60SFD mainly used in solar inverters and UPS, as well as welding and other intermediate frequency DC / DC converters.
Features:
• High current capability
• High input impedance
• Fast switching
• higher power integration
• RoHS compliant
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد