ماسفت کانال N
FQP50N06
60V 50A N-Channel MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220
قیمت تک فروشی 497,676 ریال
قیمت عمده 440,717 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 432,742 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده428,755 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.835 تتر با تخفیف
43.53.433.4
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
+175 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
220 نانو ثانيه |
|
زمان افت Tf |
140 نانو ثانيه |
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
25 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
1540 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
580 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
90 پيکو فاراد |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
41 نانو کولن |
|
توضیحات
ماسفت ها بصورت گسترده در منبع تغذيه هاي AC-DC، مبدل هاي DC -DC و کنترلر موتور مورد استفاده قرار ميگيرند.
اين عناصر در منبع تغذيه هاي سوييچينگ، مدار هاي سوييچ قدرت، اينورتر ها، کاربرد دارند.
(MOSFET) مخفف عبارت Meta Oxide Semiconductor Field Effect Transistor است و همانطور که از نام آن مشخص است از نوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (Field Effect Transistor = FET) مي باشد. برخلاف ترانزيستورهاي BJT که برمبناي کنترل جريان عمل مي کنند، ماسفت ها بر مبناي کنترل ولتاژ عمل مي کنند و به جاي سه پايه ي Base و Collector و Emitter داراي سه پايه ي Gate و Source و Drain مي باشند.
Description
The 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt.
It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mode power appliances.
* RDS(ON) = 23m?@VGS = 10 V
* Ultra low gate charge ( typical 30 nC )
* Low reverse transfer Capacitance ( CRSS = typical 80 pF )
* Fast switching capability
* 100% avalanche energy specified
* Improved dv/dt capability
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد