|
ماسفت توان کانال N
FDD2582
N-Channel Power MOSFET 150V, 21A, 66mohm
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-252
قیمت تک فروشی 356,003 ریال
قیمت عمده 339,557 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 332,979 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده329,690 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.606 تتر با تخفیف
3.062.912.852.82
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| زمان خيز Tr |
19 نانو ثانيه |
|
| زمان افت Tf |
19 نانو ثانيه |
|
|
|
| ظرفيت خازني ورودي Ciss |
1295 پيکو فاراد |
|
| ظرفيت خازني خروجي Coss |
145 پيکو فاراد |
|
| مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
0.058 اهم |
|
|
|
| مجموع شارژ کامل Qg |
19 نانو کولن |
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي نوعي ترانزيستور اثر ميداني است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين مي کند
Description
The metal-oxide-semiconductor field-effect transistor is a type of field-effect transistor, most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد