|
ماسفت کانال N
IXFH80N65X2
-N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-247
قیمت تک فروشی 8,656,784 ریال
قیمت عمده 8,327,600 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 8,163,008 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده8,080,712 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 14.871 تتر با تخفیف
74.887270.5669.84
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
| حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| حداکثر جريان درين |
80 آمپر |
|
|
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي نوعي ترانزيستور اثر ميداني است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک دروازه عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين مي کند.
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor is a type of field-effect transistor, most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد