ماسفت کانال P
NDT2955
MOSFET P-Channel 60 V 2.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: SOT-223-4
قیمت تک فروشی 363,045 ریال
قیمت عمده 345,957 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 339,122 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده335,704 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.614 تتر با تخفیف
3.1532.942.91
|
|
|
|
نوع عملکرد |
POWER MANAGEMENT Function Type |
|
حداکثر دماي کاري |
150 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
|
|
زمان خيز Tr |
10 نانو ثانيه |
|
|
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
601 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
85 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني انتقال معکوس Crss |
35 پيکو فاراد |
|
|
مجموع شارژ کامل Qg |
11 نانو کولن |
|
توضیحات
ترانزيستور اثر ميداني فلز-اکسيد-نيمه هادي نوعي ترانزيستور اثر ميداني است که معمولاً توسط اکسيداسيون کنترل شده سيليکون ساخته مي شود. داراي يک گيت عايق است که ولتاژ آن رسانايي دستگاه را تعيين ميکند. اين ماسفت 60 ولتي P-Channel با استفاده از فرآيند ترنچ ولتاژ بالا onsemi توليد مي شود. براي کاربردهاي مديريت انرژي بهينه شده است.
Description
The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor is a type of field-effect transistor, most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device
This 60 V P-Channel MOSFET is produced using onsemi’s high
voltage Trench process. It has been optimized for power management
plications.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد