|
ماسفت کانال N
IRF3205PBF
55V 110A Power N-Channel MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220
قیمت تک فروشی 245,799 ریال
قیمت عمده 236,094 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 232,212 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده230,271 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.406 تتر با تخفیف
1.781.71.671.65
|
توضیحات
يکي از انواع ترانزيستور ها هستند و در اصل قطعات الکتريکي مي باشند که وظيفه و عملکرد آنها سوئيچينگ ولتاژ است. ترانزيستور ماسفت داراي يک اثر ميداني نيمه رسانا است و شکل ظاهري ترانزيستور ماسفت به اين شکل است که داراي يک بدنه و سه پايه است.
ماسفت هاي کانال N: در اين نوع از ماسفت، سورس را بايد به پايه مثبت متصل کنيم. در زمان روشن کردن ،ولتاژ گيت بايد به صفر برسد به اين معني که ابتدا بايد به منبع تغذيه وصل کنيم و براي خاموش کردن گيت را به منبع تغذيه مثبت متصل کنيم . ولتاژ و جريان اين ماسفت ها مثبت است .ماسفت هاي پيشرفته HEXFET® Power از International Rectifier از تکنيک هاي پردازش پيشرفته براي دستيابي به مقاومت بسيار کم در هر ناحيه سيليکوني استفاده مي کنند. اين مزيت، همراه با سرعت سوئيچينگ سريع و طراحي دستگاه مستحکم که ماسفت هاي برقي HEXFET به خوبي به آن شهرت دارند، دستگاهي بسيار کارآمد و قابل اعتماد را براي استفاده در کاربردهاي مختلف در اختيار طراح قرار مي دهد. پکيج TO-220 براي همه کاربردهاي تجاري-صنعتي در سطوح اتلاف توان تا حدود 50 وات ترجيح داده مي شود. مقاومت حرارتي پايين و هزينه بسته بندي پايين TO-220 به پذيرش گسترده آن در سراسر صنعت کمک مي کند
Description
They are one of the types of transistors and they are basically electrical parts whose function and function is voltage switching. The MOSFET transistor has a semi-conducting field effect and the appearance of the MOSFET transistor is that it has a body and three legs.
N-channel MOSFETs: In this type of MOSFET, the source must be connected to the positive base. At the time of turning on, the voltage of the gate must reach zero, which means that we must first connect to the power supply and to turn off the gate, connect to the positive power supply. The voltage and current of these MOSFETs are positive.Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد