|
ماسفت کانال N
IRFZ24NPBF
55V 17A HEXFET POWER MOSFET
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج: TO-220AB
قیمت تک فروشی 211,545 ریال
قیمت عمده 155,030 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 152,769 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده151,639 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.36 تتر با تخفیف
1.510.980.97
|
توضیحات
ماسفت IRFZ24NS يک ماسفت فرکانس بالا با دماي عملياتي تا 175 درجه، 55 ولت و 17 امپر ميباشد.
نوع ديگري از ترانزيستورهاي اثر ميدان وجود دارد که ورودي گيت آن‌ها، از نظر الکتريکي نسبت به کانال حامل جريان عايق شده است و به همين دليل، ترانزيستور اثر ميدان با گيت ايزوله شده (Insulated Gate Field Effect Transistor) يا IGDET ناميده مي‌شود.
تداول‌ترين FET با گيت ايزوله شده که در کاربردهاي مختلفي به کار مي‌رود، ترانزيستور اثر ميداني نيمه‌رساناي اکسيد فلز يا ماسفت (MOSFET) است. IGFET يا MOSFET يک ترانزيستور اثر ميدان کنترل شده با ولتاژ است که با JFET تفاوت دارد و اين تفاوت، يک الکترود گيت «اکسيد فلز» است که از نظر الکتريکي نسبت به نيمه‌هادي اصلي کانال N يا کانال P با يک لايه بسيار نازک از ماده عايق کننده (معمولاً اکسيد سيليکون) جدا شده است.
Description
MOSFET IRFZ24NS is a high frequency MOSFET with operating temperature up to 175 degrees, 55 volts and 17 amps.
There is another type of field effect transistor whose gate input is electrically insulated from the current carrying channel, and for this reason, it is called Insulated Gate Field Effect Transistor or IGDET.
The most common isolated gate FET used in various applications is the metal oxide semiconductor field effect transistor or MOSFET. IGFET or MOSFET is a voltage-controlled field-effect transistor that differs from JFET in that it has a "metal oxide" gate electrode that is electrically insulated from the main N-channel or P-channel semiconductor with a very thin layer of insulating material. The catalyst (usually silicon oxide) is separated.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد