ماسفت N
IRFZ24N TO-220
Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area
کیفیت: ORIGINAL(distributor) پکیج:
قیمت تک فروشی 194,402 ریال
قیمت عمده 139,601 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 137,409 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده136,313 ریال (1000 به بالا)
قیمت تک فروشی 0.33 تتر با تخفیف
1.510.980.97
|
|
|
|
حداکثر دماي کاري |
175 سانتيگراد |
|
حداقل دماي کاري |
-55 سانتيگراد |
|
|
|
|
حداکثر ولتاژ گيت-سورس |
20 ولت |
|
ظرفيت خازني ورودي Ciss |
370 پيکو فاراد |
|
ظرفيت خازني خروجي Coss |
140 پيکو فاراد |
|
مقاومت روشن درين سورس (Rds) |
70 اهم |
|
توضیحات
ماسفت IRFZ24NS يک ماسفت فرکانس بالا با دماي عملياتي تا 175 درجه، 55 ولت و 17 امپر ميباشد.
نوع ديگري از ترانزيستورهاي اثر ميدان وجود دارد که ورودي گيت آنها، از نظر الکتريکي نسبت به کانال حامل جريان عايق شده است و به همين دليل، ترانزيستور اثر ميدان با گيت ايزوله شده (Insulated Gate Field Effect Transistor) يا IGDET ناميده ميشود.
تداولترين FET با گيت ايزوله شده که در کاربردهاي مختلفي به کار ميرود، ترانزيستور اثر ميداني نيمهرساناي اکسيد فلز يا ماسفت (MOSFET) است. IGFET يا MOSFET يک ترانزيستور اثر ميدان کنترل شده با ولتاژ است که با JFET تفاوت دارد و اين تفاوت، يک الکترود گيت «اکسيد فلز» است که از نظر الکتريکي نسبت به نيمههادي اصلي کانال N يا کانال P با يک لايه بسيار نازک از ماده عايق کننده (معمولاً اکسيد سيليکون) جدا شده است.
Description
Fifth Generation HEXFET? power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve the lowest possible on-resistance
per silicon area. This benefit, combined with the fast
switching speed and ruggedized device design that HEXFET
power MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient device for use in a wide variety
of applications.
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد