|
ماسفت کانال P
IRF9540
100V 19A P-Channel MOSFET in TO-220 Package
کیفیت: Bulk (فله ایی） پکیج:
قیمت تک فروشی 386,243 ریال
قیمت عمده 270,496 ریال (10 به بالا)
قیمت ویژه 265,866 ریال (100 به بالا)
قیمت فوق العاده263,551 ریال (1000 به بالا)
 قیمت تک فروشی 0.611 تتر با تخفیف
2.941.961.921.9
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| زمان خيز Tr |
73 نانو ثانيه |
|
| زمان افت Tf |
57 نانو ثانيه |
|
| ظرفيت خازني ورودي Ciss |
1400 پيکو فاراد |
|
| ظرفيت خازني خروجي Coss |
590 پيکو فاراد |
|
|
|
توضیحات
ماسفت P-Channel 19امپر100 ولت .
اين ماسفت ها بصورت گسترده در منبع تغذيه هاي AC-DC، مبدل هاي DC -DC و کنترلر موتور مورد استفاده قرار ميگيرند.
*کاربرد ها:
*منبع تغذيه هاي سوييچينگ
*مدار هاي سوييچ قدرت
*اينورتر ها
*کاربرد و اهداف عمومي
ماسفت (MOSFET) مخفف عبارت Meta Oxide Semiconductor Field Effect Transistor است و همانطور که از نام آن مشخص است از نوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (Field Effect Transistor = FET) مي باشد.
برخلاف ترانزيستورهاي BJT که برمبناي کنترل جريان عمل مي کنند، ماسفت ها بر مبناي کنترل ولتاژ عمل مي کنند و به جاي سه پايه ي Base و Collector و Emitter داراي سه پايه ي Gate و Source و Drain مي باشند.
Description
These are P-Channel enhancement mode silicon gate
power field effect transistors. They are advanced power
MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a
specified level of energy in the breakdown avalanche mode
of operation. All of these power MOSFETs are designed for
applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power
bipolar switching transistors requiring high speed and low
gate drive power. They can be operated directly from integrated circuits.
Features
• -15A and -19A, -80V and -100V
• rDS(ON) = 0.20Ohm and 0.30Ohm
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
|
کلیه حقوق این سایت متعلق به فروشگاه Skytech می باشد